实时热点!微软AI功能Recall因隐私问题延期发布,引发用户担忧
微软AI功能Recall因隐私问题延期发布,引发用户担忧
北京时间2024年6月18日 - 微软近日宣布,推迟发布其备受期待的AI功能Recall。据悉,该功能最初计划于今年晚些时候随Windows系统一同发布,但由于引发了广泛的隐私担忧,微软决定将其推迟至2025年进行更深入的测试。
Recall旨在帮助用户回忆他们在电脑上做过的事情,包括搜索内容、浏览网页、与他人交流等。它通过每隔几秒钟截取一次屏幕截图并记录用户操作来实现这一功能。然而,这一功能的强大追踪能力也引发了用户对隐私安全的担忧。
许多用户担心,微软可能会将收集到的用户数据用于商业目的,或将其泄露给第三方。此外,Recall还可能被滥用于监控员工或学生的行为。
微软表示,他们理解用户的担忧,并承诺会采取措施保护用户隐私。公司表示,Recall在默认情况下处于禁用状态,用户可以选择是否启用。此外,微软还将对收集到的用户数据进行加密,并定期删除旧数据。
尽管微软采取了上述措施,但一些用户仍然表示不放心。他们认为,微软应该在发布Recall之前进行更全面的测试,并确保其符合严格的隐私保护标准。
Recall的延期发布表明,科技公司在开发AI功能时,需要更加重视用户隐私问题。只有获得用户的信任,AI才能真正发挥其潜力。
以下是一些对新闻稿的补充和修改:
- 添加了背景信息,介绍了Recall功能的具体功能和工作原理。
- 分析了用户对Recall功能的隐私担忧,并提出了可能的解决方案。
- 讨论了Recall延期发布对科技公司开发AI功能的启示。
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三星3D NAND堆叠技术领跑行业,长存美光紧追其后
[美国,加州] - 据市场研究机构TechInsights近日发布的报告,三星电子在3D NAND闪存堆叠技术方面处于领先地位,其平均每单元比特堆叠层数达到了176层,而紧随其后的长存美光则为164层。
报告指出,三星在3D NAND堆叠技术方面的领先优势主要体现在其先进的晶圆代工工艺和设计架构上。三星采用了一系列创新的技术,例如沟槽填充技术和自对准蚀刻技术,使得其能够在更薄的晶圆上制造更多的存储层。此外,三星还开发了一种新的3D NAND架构,该架构可以提高存储单元的密度和性能。
长存美光也在3D NAND堆叠技术方面投入了大量研发资金,并取得了显著进展。该公司目前正在开发176层3D NAND闪存,预计将于2024年底投产。
3D NAND闪存是目前最先进的闪存技术之一,具有更高的存储密度、更快的速度和更低的功耗。随着智能手机、数据中心和服务器等应用对存储需求的不断增长,3D NAND闪存市场预计将快速增长。
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发布于:2024-07-01 22:14:06,除非注明,否则均为
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